Micron Technology,Inc.（纽约证券交易所股票代码：MU）继在美国多次宣布推出业界首款NAND闪存产品后，今天再次亮相深圳，以示其在亚太区的隆重推出。这也预示着美光公司是业界第一家提供8千兆（Gb）单级单元（SLC）高速NAND产品样品的公司，与传统的NAND产品相比，高速NAND使数据在很少的时间内即可传输完毕。

    
 
     Micron记忆存储系统开发部副总Dean Klein表示：我们与英特尔针对计算、视频、摄像以及其他电子消费产品共同研发的数据NAND闪存，性能提高了近5倍，极大的提高了在利用硅片进行存储的设备中访问和传输的能力。这项新的技术将很快就能让消费者体验到其性能的优势：如电脑 、数码相机、MP3播放器和手机之间更快数字内容传输方式。”

   

     SLC高速NAND读取数据的速度可达到每秒200兆字节（MB/s），数据写入速度最高可达100MB/s，这是通过采用新的ONFI 2.0标准和具有更高时钟速度的四平面体系结构实现的。而相比之下，传统SLCNAND读取速度最高为40MB/s，写入速度低于20MB/s。
 
     Micron NAND闪存市场开发部处长Kevin则表示：通过各项调研均表明，NAND闪存及随之推出的系列产品都有着很好的市场前景，目前Micron已在美国和新加坡加建的工厂都将很快投产，相信NAND闪存将给业界带出更美好的未来。

Micron的8 Gb

     SLC高速NAND器件设计在50纳米工艺节点上，将要为OEM和控制器制造商提供样品，大规模生产预计从2008 年下半年开始。